DMN2009UFDF-7
Produsentens produktnummer:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Produsent:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMN2009UFDF-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Lager:

13002570
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
hnTK
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

DMN2009UFDF-7 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Diodes Incorporated
Emballasje
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
12.8A (Ta)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
27.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1083 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
1.3W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakke / etui
6-UDFN Exposed Pad
Base produktnummer
DMN2009

Datablad og dokumenter

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
31-DMN2009UFDF-7

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO