DMN2009UFDF-7

Produsentens produktnummer:

DMN2009UFDF-7

Product Overview

Produsent:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMN2009UFDF-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Detaljert beskrivelse:

N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Lager:

RFQ Online

13002570

Forespørsel om pristilbud

Antall
Minimum 1

nPUg

(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer

SEND

DMN2009UFDF-7 Tekniske spesifikasjoner

Kategori

FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er

Produsent

Diodes Incorporated

Emballasje

Bulk

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tøm til kildespenning (Vdss)

20 V

Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C

12.8A (Ta)

Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)

2.5V, 4.5V

Rds på (maks) @ id, vgs

9mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th) (maks) @ Id

1.4V @ 250µA

Portlading (Qg) (maks) @ Vgs

27.9 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±12V

Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds

1083 pF @ 10 V

FET-funksjon

-

Strømtap (maks)

1.3W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheter

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakke / etui

6-UDFN Exposed Pad

Base produktnummer

DMN2009

Datablad og dokumenter

HTML Datablad

DMN2009UFDF-7-DG

Datablad

Dataark

Tilleggsinformasjon

Standard pakke

3,000

Andre navn

31-DMN2009UFDF-7

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifisering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterte produkter

goford-semiconductor

G75P04D5

MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L

epc-space

EPC7019GC

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

rohm-semi

R6027YNXC7G

NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO

IQE220N15NM5CGATMA1

TRENCH >=100V