Hjem
Produkter
Produsenter
Om DiGi
Kontakt oss
Blogger og innlegg
FOrespørsel om tilbud
Norway
Logg inn
Utvalgsspråk
Gjeldende språk etter eget valg:
Norway
Bytt:
Engelsk
Europa
Storbritannia
Frankrike
Spania
Kalkun
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russisk
Bulgaria
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenia
Tsjekkisk
Gresk
Kroatia
Israel
Serbia
Hviterussland
Nederland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnia
Ungarsk
Romania
Østerrike
Belgia
Irland
Asia / Stillehavet
Kina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodsja
Myanmar
Afrika, India og Midtøsten
De forente arabiske emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Sør-Afrika
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Sør-Amerika / Oseania
New Zealand
Angola
Brasil
Mosambik
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord-Amerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våre sertifiseringer
DiGi Introduksjon
Hvorfor DiGi
Politikk
Kvalitetspolitikk
Bruksvilkår
RoHS-overholdelse
Returprosess
Ressurser
Produktkategorier
Produsenter
Blogger og innlegg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmåte
Global forsendelse
Fraktpriser
Ofte stilte spørsmål
Produsentens produktnummer:
DMN2009UFDF-7
Product Overview
Produsent:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Delenummer:
DMN2009UFDF-7-DG
Beskrivelse:
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 12.8A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Lager:
RFQ Online
13002570
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
*
Selskap
*
Kontakt Navn
*
Telefon
*
E-post
Leveringsadresse
Melding
h
n
T
K
(
*
) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
DMN2009UFDF-7 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Diodes Incorporated
Emballasje
Bulk
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
12.8A (Ta)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
2.5V, 4.5V
Rds på (maks) @ id, vgs
9mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
27.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1083 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
1.3W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
U-DFN2020-6 (Type F)
Pakke / etui
6-UDFN Exposed Pad
Base produktnummer
DMN2009
Datablad og dokumenter
HTML Datablad
DMN2009UFDF-7-DG
Datablad
DMN2009UFDF-7
Dataark
DMN2009UFDF
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
31-DMN2009UFDF-7
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
G75P04D5
MOSFET P-CH 40V 70A DFN5*6-8L
EPC7019GC
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
R6027YNXC7G
NCH 600V 14A, TO-220FM, POWER MO
IQE220N15NM5CGATMA1
TRENCH >=100V