DMN2022UFDF-7

Produsentens produktnummer:

DMN2022UFDF-7

Product Overview

Produsent:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMN2022UFDF-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN

Detaljert beskrivelse:

N-Channel 20 V 7.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)

Lager:

5599 Stk Nye Originaler På Lager

12949243

Forespørsel om pristilbud

Antall
Minimum 1

rzRN

(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer

SEND

DMN2022UFDF-7 Tekniske spesifikasjoner

Kategori

FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er

Produsent

Diodes Incorporated

Emballasje

Tape & Reel (TR)

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tøm til kildespenning (Vdss)

20 V

Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C

7.9A (Ta)

Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)

1.5V, 4.5V

Rds på (maks) @ id, vgs

22mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (maks) @ Id

1V @ 250µA

Portlading (Qg) (maks) @ Vgs

18 nC @ 8 V

Vgs (maks)

±8V

Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds

907 pF @ 10 V

FET-funksjon

-

Strømtap (maks)

660mW (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheter

U-DFN2020-6 (Type F)

Pakke / etui

6-UDFN Exposed Pad

Base produktnummer

DMN2022

Datablad og dokumenter

HTML Datablad

DMN2022UFDF-7-DG

Datablad

Dataark

Tilleggsinformasjon

Standard pakke

3,000

Andre navn

DMN2022UFDF-7DICT

DMN2022UFDF-7DITR

DMN2022UFDF-7DIDKR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertifisering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterte produkter

vishay-siliconix

IRFR214PBF

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

diodes

DMTH43M8LFG-7

MOSFET N-CH 40V PWRDI3333

diodes

DMT69M8LSS-13

MOSFET N-CH 60V 9.8A 8SO T&R 2

diodes

DMG7702SFG-13

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333