DMT10H009SCG-7
Produsentens produktnummer:

DMT10H009SCG-7

Product Overview

Produsent:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Delenummer:

DMT10H009SCG-7-DG

Beskrivelse:

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 14A (Ta), 48A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount V-DFN3333-8 (Type B)

Lager:

RFQ Online
13000941
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
Hs0y
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

DMT10H009SCG-7 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Diodes Incorporated
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
14A (Ta), 48A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
9.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2085 pF @ 50 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
1.3W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
V-DFN3333-8 (Type B)
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Base produktnummer
DMT10

Datablad og dokumenter

Dataark
DMT10H009SCG

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
2,000
Andre navn
31-DMT10H009SCG-7TR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
goford-semiconductor

G33N03S

N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<13M

goford-semiconductor

G65P06T

MOSFET P-CH 60V 65A TO-220

goford-semiconductor

GT105N10T

N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<

onsemi

NVMYS2D3N06CTWG

T6 60V SL LFPAK4 5X6