Produsentens produktnummer:
FCPF7N60NT
Product Overview
Produsent:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
FCPF7N60NT-DG
Beskrivelse:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 6.8A (Tc) 30.5W (Tc) Through Hole TO-220F-3
Lager:
6635 Stk Nye Originaler På Lager
12946850
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
FCPF7N60NT Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Emballasje
Bulk
Serie
SupreMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
6.8A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
520mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
35.6 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
960 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
30.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220F-3
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
202
Andre navn
2156-FCPF7N60NT
FAIFSCFCPF7N60NT
Miljø- og eksportklassifisering
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
FQU2N90TU-AM002
MOSFET N-CH 900V 1.7A I-PAK
FCPF36N60NT
MOSFET N-CH 600V 36A TO220F
FDMS7694
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
