ISL9N327AD3ST
Produsentens produktnummer:

ISL9N327AD3ST

Product Overview

Produsent:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

ISL9N327AD3ST-DG

Beskrivelse:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 50W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Lager:

5000 Stk Nye Originaler På Lager
12967253
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

ISL9N327AD3ST Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Emballasje
Bulk
Serie
UltraFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
27mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
910 pF @ 15 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
50W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-252 (DPAK)
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datablad og dokumenter

Dataark

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
533
Andre navn
2156-ISL9N327AD3ST
FAIFSCISL9N327AD3ST

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
renesas-electronics-america

2SJ451ZK-TL-E

P-CHANNEL SMALL SIGNAL MOSFET

infineon-technologies

IPB80P04P4L04ATMA2

MOSFET P-CH 40V 80A TO263-3

renesas-electronics-america

2SJ463A(0)-T1-A

SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET

unitedsic

UF3C120400K3S

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3