G120N03D32
Produsentens produktnummer:

G120N03D32

Product Overview

Produsent:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Delenummer:

G120N03D32-DG

Beskrivelse:

MOSFET 2N-CH 30V 28A 8DFN
Detaljert beskrivelse:
Mosfet Array 30V 28A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount 8-DFN (3.15x3.05)

Lager:

4995 Stk Nye Originaler På Lager
12787877
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

G120N03D32 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, FET, MOSFET-arrays
Produsent
Goford Semiconductor
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasjon
2 N-Channel
FET-funksjon
Standard
Tøm til kildespenning (Vdss)
30V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
28A (Tc)
Rds på (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.2V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
18nC @ 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1089pF @ 15V
Kraft - Maks
20W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
8-PowerVDFN
Pakke med leverandørenheter
8-DFN (3.15x3.05)

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
Datablad
Dataark

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
5,000
Andre navn
3141-G120N03D32CT
3141-G120N03D32TR
3141-G120N03D32DKR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
RoHS Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
wise-integration

WI62195

GANFET 2P-CH 750V 9A 14QFN

rohm-semi

HT8KE5TB1

MOSFET 2N-CH 100V 2.5A/7A 8HSMT

rohm-semi

HP8KE7TB1

MOSFET 2N-CH 100V 10A/24A 8HSOP

rohm-semi

HP8ME5TB1

MOSFET N/P-CH 100V 3A/8.5A 8HSOP