Produsentens produktnummer:
BSC120N03MSGATMA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC120N03MSGATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 39A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Lager:
28843 Stk Nye Originaler På Lager
12799703
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
3l1c
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
BSC120N03MSGATMA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
11A (Ta), 39A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
12mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1500 pF @ 15 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PG-TDSON-8-5
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Base produktnummer
BSC120
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
5,000
Andre navn
BSC120N03MS G
BSC120N03MSGINTR
BSC120N03MSGATMA1DKR
BSC120N03MSGINTR-DG
BSC120N03MSGXT
BSC120N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC120N03MSGINCT-DG
BSC120N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC120N03MSG
BSC120N03MSGATMA1TR
BSC120N03MSGINCT
SP000311516
BSC120N03MSGINDKR-DG
BSC120N03MSGATMA1CT
BSC120N03MSGINDKR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
IPA65R600E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-FP
BSC032N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 21A/98A TDSON
