Produsentens produktnummer:
BSC190N12NS3GATMA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
BSC190N12NS3GATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Lager:
29800 Stk Nye Originaler På Lager
12798707
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
BSC190N12NS3GATMA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
120 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
8.6A (Ta), 44A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
19mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 42µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2300 pF @ 60 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
69W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PG-TDSON-8-1
Pakke / etui
8-PowerTDFN
Base produktnummer
BSC190
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
5,000
Andre navn
BSC190N12NS3 GCT-DG
BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GDKR-DG
BSC190N12NS3 GTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1TR
SP000652752
BSC190N12NS3 G
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1DKR
BSC190N12NS3G
BSC190N12NS3GATMA1CT
BSC190N12NS3 GDKR
BSC190N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC190N12NS3 G-DG
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
AUIRL1404S
MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
AUIRLS3114Z
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
BSP296 E6433
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
