IPAN80R450P7XKSA1
Produsentens produktnummer:

IPAN80R450P7XKSA1

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPAN80R450P7XKSA1-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP

Lager:

372 Stk Nye Originaler På Lager
12847694
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IPAN80R450P7XKSA1 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
800 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 220µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
770 pF @ 500 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
29W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO220-3-FP
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Base produktnummer
IPAN80

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IPAN80R450P7XKSA1-DG
Datablad
IPAN80R450P7XKSA1
Dataark
IPAN80R450P7

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
50
Andre navn
SP001632932
IFEINFIPAN80R450P7XKSA1
2156-IPAN80R450P7XKSA1

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
onsemi

MCH3477-TL-E

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70

onsemi

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252

infineon-technologies

BSS192PL6327HTSA1

MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89

onsemi

FQD30N06TF_F080

MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK