Produsentens produktnummer:
IPB039N10N3GATMA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPB039N10N3GATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 160A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Lager:
29647 Stk Nye Originaler På Lager
13064036
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPB039N10N3GATMA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
OptiMOS™
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Del Status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
160A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
3.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 160µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
8410 pF @ 50 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
214W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PG-TO263-7
Pakke / etui
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Base produktnummer
IPB039
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
1,000
Andre navn
IPB039N10N3 GCT-ND
SP000482428
IPB039N10N3 GTR-ND
IPB039N10N3 GTR
IPB039N10N3GATMA1TR
IPB039N10N3 GDKR
IPB039N10N3 G
IPB039N10N3G
IPB039N10N3 GCT
IPB039N10N3 GDKR-ND
IPB039N10N3GATMA1CT
IPB039N10N3 G-ND
IPB039N10N3GATMA1DKR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IRFB3306PBF
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
IPD80R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3
IPP65R600C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220-3
