Produsentens produktnummer:
IPD65R660CFDATMA2
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD65R660CFDATMA2-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Lager:
1827 Stk Nye Originaler På Lager
13276481
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPD65R660CFDATMA2 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ CFD2
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
700 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4.5V @ 200µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
615 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
63W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PG-TO252-3-313
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base produktnummer
IPD65R660
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
2,500
Andre navn
448-IPD65R660CFDATMA2CT
448-IPD65R660CFDATMA2DKR
SP001977050
448-IPD65R660CFDATMA2TR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPLK70R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
IPLK80R2K0P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
IPLK80R1K4P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
