Produsentens produktnummer:
IPD80R900P7ATMA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPD80R900P7ATMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 800 V 6A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Lager:
4939 Stk Nye Originaler På Lager
12804143
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPD80R900P7ATMA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
CoolMOS™ P7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
800 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 110µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
350 pF @ 500 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
45W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
PG-TO252-3
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base produktnummer
IPD80R900
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
2,500
Andre navn
IPD80R900P7ATMA1CT
SP001633484
IPD80R900P7ATMA1DKR
IPD80R900P7ATMA1TR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPP60R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220-3
IPD320N20N3GBTMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
IRF6668TR1PBF
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET MZ
