IPP023N10N5AKSA1
Produsentens produktnummer:

IPP023N10N5AKSA1

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPP023N10N5AKSA1-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 375W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Lager:

13064116
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IPP023N10N5AKSA1 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
OptiMOS™
Emballasje
Tube
Del Status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.8V @ 270µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
15600 pF @ 50 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
375W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Base produktnummer
IPP023

Datablad og dokumenter

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
50
Andre navn
SP001120504
IPP023N10N5AKSA1-ND
448-IPP023N10N5AKSA1

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative modeller

DELE NUMMER
IPP023N10N5XKSA1
PRODUKTSELSKAP
Infineon Technologies
ANTALL TILGJENGELIG
443
DELER NUMMER
IPP023N10N5XKSA1-DG
ENHETSPRIS
3.00
ERSTATNING TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
infineon-technologies

IRFS3107TRL7PP

MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK

infineon-technologies

IPA80R1K4CEXKSA1

MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220

infineon-technologies

IPP70N12S311AKSA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

infineon-technologies

IRF7406GTRPBF

MOSFET P-CH 30V 5.8A 8SO