Produsentens produktnummer:
IPP072N10N3GXKSA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP072N10N3GXKSA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 150W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Lager:
3089 Stk Nye Originaler På Lager
12800107
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPP072N10N3GXKSA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
OptiMOS™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
80A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
6V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 90µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
4910 pF @ 50 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
150W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Base produktnummer
IPP072
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
50
Andre navn
IPP072N10N3G
IPP072N10N3GXKSA1-DG
SP000680830
448-IPP072N10N3GXKSA1
IPP072N10N3 G-DG
IPP072N10N3 G
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
BSC110N06NS3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TDSON-8
IPD80R2K8CEBTMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
IPP023N04NGXKSA1
MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3
