Produsentens produktnummer:
IPP60R099C7XKSA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPP60R099C7XKSA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 110W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Lager:
13064022
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPP60R099C7XKSA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
CoolMOS™ C7
Emballasje
Tube
Del Status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
22A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
99mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 490µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1819 pF @ 400 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
110W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO220-3-1
Pakke / etui
TO-220-3
Base produktnummer
IPP60R099
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
50
Andre navn
SP001298000
448-IPP60R099C7XKSA1
IPP60R099C7XKSA1-ND
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELE NUMMER
FCP099N65S3
PRODUKTSELSKAP
onsemi
ANTALL TILGJENGELIG
0
DELER NUMMER
FCP099N65S3-DG
ENHETSPRIS
2.57
ERSTATNING TYPE
MFR Recommended
DELE NUMMER
IPZ60R099C7XKSA1
PRODUKTSELSKAP
Infineon Technologies
ANTALL TILGJENGELIG
0
DELER NUMMER
IPZ60R099C7XKSA1-DG
ENHETSPRIS
3.21
ERSTATNING TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPD50N06S4L08ATMA2
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
IPF09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
BSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
