Produsentens produktnummer:
IPS80R1K2P7AKMA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS80R1K2P7AKMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 800 V 4.5A (Tc) 37W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Lager:
12805799
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
NpQK
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPS80R1K2P7AKMA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produkt status
Last Time Buy
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
800 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
4.5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 80µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
300 pF @ 500 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
37W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO251-3-342
Pakke / etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base produktnummer
IPS80R1
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
1,500
Andre navn
2156-IPS80R1K2P7AKMA1
SP001644626
INFINFIPS80R1K2P7AKMA1
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative modeller
DELE NUMMER
STU6N60M2
PRODUKTSELSKAP
STMicroelectronics
ANTALL TILGJENGELIG
4
DELER NUMMER
STU6N60M2-DG
ENHETSPRIS
0.46
ERSTATNING TYPE
MFR Recommended
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPP65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220-3
IRLML6302TR
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
IRL3715ZSPBF
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
