Produsentens produktnummer:
IPS80R2K0P7AKMA1
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IPS80R2K0P7AKMA1-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 800 V 3A (Tc) 24W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-342
Lager:
12805543
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IPS80R2K0P7AKMA1 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
CoolMOS™ P7
Produkt status
Last Time Buy
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
800 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 50µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
175 pF @ 500 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
24W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO251-3-342
Pakke / etui
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Base produktnummer
IPS80R2
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
1,500
Andre navn
INFINFIPS80R2K0P7AKMA1
2156-IPS80R2K0P7AKMA1
SP001634926
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IRFZ46NSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IPP14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO220-3
IRL7833S
MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK