IPU50R3K0CEBKMA1
Produsentens produktnummer:

IPU50R3K0CEBKMA1

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPU50R3K0CEBKMA1-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 500V 1.7A TO251-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 18W (Tc) Through Hole PG-TO251-3

Lager:

RFQ Online
12806776
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IPU50R3K0CEBKMA1 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
-
Serie
CoolMOS™ CE
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
500 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
13V
Rds på (maks) @ id, vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 30µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
84 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
18W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO251-3
Pakke / etui
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base produktnummer
IPU50R

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IPU50R3K0CEBKMA1-DG
Datablad
IPU50R3K0CEBKMA1

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
1,500
Andre navn
2156-IPU50R3K0CEBKMA1-IT
INFINFIPU50R3K0CEBKMA1
SP001022960

Miljø- og eksportklassifisering

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
infineon-technologies

IRFB23N20D

MOSFET N-CH 200V 24A TO220AB

infineon-technologies

IRF3709ZL

MOSFET N-CH 30V 87A TO262

infineon-technologies

IRFR12N25DTRPBF

MOSFET N-CH 250V 14A DPAK

infineon-technologies

IRF6811STR1PBF

MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET