IPZA65R029CFD7XKSA1
Produsentens produktnummer:

IPZA65R029CFD7XKSA1

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IPZA65R029CFD7XKSA1-DG

Beskrivelse:

650V FET COOLMOS TO247
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 650 V 69A (Tc) 305W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-3

Lager:

240 Stk Nye Originaler På Lager
12945772
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IPZA65R029CFD7XKSA1 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tube
Serie
CoolMOS™ CFD7
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
650 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
69A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
29mOhm @ 35.8A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4.5V @ 1.79mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
7149 pF @ 400 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
305W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
PG-TO247-4-3
Pakke / etui
TO-247-4
Base produktnummer
IPZA65

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IPZA65R029CFD7XKSA1-DG
Datablad
IPZA65R029CFD7XKSA1
Dataark
IPZA65R029CFD7

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
30
Andre navn
SP005413356
448-IPZA65R029CFD7XKSA1

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
onsemi

NVMFS5C410NWFT1G-M

MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN

stmicroelectronics

STB40NS15T4

MOSFET N-CH 150V 40A D2PAK

stmicroelectronics

STP9NM40N

MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220

stmicroelectronics

STD1NK60T4

MOSFET N-CH 600V 1A DPAK