Produsentens produktnummer:

IRF1902TRPBF

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF1902TRPBF-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SO

Detaljert beskrivelse:

N-Channel 20 V 4.2A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Lager:

RFQ Online

12804312

Forespørsel om pristilbud

Antall
Minimum 1

eFc9

(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer

SEND

IRF1902TRPBF Tekniske spesifikasjoner

Kategori

FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er

Produsent

Infineon Technologies

Emballasje

-

Serie

HEXFET®

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tøm til kildespenning (Vdss)

20 V

Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C

4.2A (Ta)

Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)

2.7V, 4.5V

Rds på (maks) @ id, vgs

85mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (maks) @ Id

700mV @ 250µA

Portlading (Qg) (maks) @ Vgs

7.5 nC @ 4.5 V

Vgs (maks)

±12V

Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds

310 pF @ 15 V

FET-funksjon

-

Strømtap (maks)

2.5W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheter

8-SO

Pakke / etui

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Datablad og dokumenter

HTML Datablad

IRF1902TRPBF-DG

Datablad

Tilleggsinformasjon

Standard pakke

4,000

Andre navn

IRF1902TRPBF-DG

IRF1902TRPBFTR

SP001564704

IRF1902TRPBFCT

IRF1902TRPBFDKR

Miljø- og eksportklassifisering

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifisering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterte produkter

infineon-technologies

IRF5210L

MOSFET P-CH 100V 40A TO262

infineon-technologies

IRF3710ZSPBF

MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK

infineon-technologies

IPW80R290C3AFKSA1

MOSFET N-CH 800V TO247

infineon-technologies

IRF9Z34NL

MOSFET P-CH 55V 19A TO262