Produsentens produktnummer:
IRF3205L
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF3205L-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 55 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-262
Lager:
12804404
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IRF3205L Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
-
Serie
HEXFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
55 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
110A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
8mOhm @ 62A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
146 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
3247 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
200W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-262
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
50
Andre navn
*IRF3205L
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IRFS3307ZPBF
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IPI020N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
IRFP1405PBF
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
