IRF520NS

Produsentens produktnummer:

IRF520NS

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF520NS-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK

Detaljert beskrivelse:

N-Channel 100 V 9.7A (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount D2PAK

Lager:

RFQ Online

12803440

Forespørsel om pristilbud

Antall
Minimum 1

Yvq0

(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer

SEND

IRF520NS Tekniske spesifikasjoner

Kategori

FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er

Produsent

Infineon Technologies

Emballasje

-

Serie

HEXFET®

Produkt status

Obsolete

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tøm til kildespenning (Vdss)

100 V

Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C

9.7A (Tc)

Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)

10V

Rds på (maks) @ id, vgs

200mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th) (maks) @ Id

4V @ 250µA

Portlading (Qg) (maks) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds

330 pF @ 25 V

FET-funksjon

-

Strømtap (maks)

3.8W (Ta), 48W (Tc)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke med leverandørenheter

D2PAK

Pakke / etui

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datablad og dokumenter

HTML Datablad

Datablad

Dataark

Tilleggsinformasjon

Standard pakke

50

Andre navn

*IRF520NS

SP001559622

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status

RoHS non-compliant

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifisering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterte produkter

infineon-technologies

IPI80N06S3-05

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IPP80N03S4L04AKSA1

MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3

infineon-technologies

IPP65R110CFDAAKSA1

MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3

IPI60R165CPXKSA1

HIGH POWER_LEGACY