Produsentens produktnummer:
IRF5801TRPBF
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF5801TRPBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 200 V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Lager:
9370 Stk Nye Originaler På Lager
12803209
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IRF5801TRPBF Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
200 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
600mA (Ta)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
2.2Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
5.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
3.9 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
88 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
Micro6™(TSOP-6)
Pakke / etui
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Base produktnummer
IRF5801
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
IRF5801TRPBFTR
IRF5801TRPBFDKR
IRF5801TRPBFCT
IRF5801TRPBF-DG
SP001570104
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPP50R399CPHKSA1
MOSFET N-CH 560V 9A TO220-3
IPD70P04P409ATMA1
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
IRF3707PBF
MOSFET N-CH 30V 62A TO220AB
