Produsentens produktnummer:
IRF6618TRPBF
Product Overview
Produsent:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Delenummer:
IRF6618TRPBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
Lager:
3953 Stk Nye Originaler På Lager
12803154
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
u3WE
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IRF6618TRPBF Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
Cut Tape (CT)
Serie
HEXFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
30A (Ta), 170A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
2.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.35V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
65 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
5640 pF @ 15 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
DIRECTFET™ MT
Pakke / etui
DirectFET™ Isometric MT
Base produktnummer
IRF6618
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
4,800
Andre navn
SP001529242
IRF6618TRPBFCT
IRF6618TRPBFDKR
IRF6618TRPBFTR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
IPA65R660CFDXKSA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO220
IRF6218STRLPBF
MOSFET P-CH 150V 27A D2PAK
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
