IRF6636
Produsentens produktnummer:

IRF6636

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRF6636-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 18A (Ta), 81A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST

Lager:

RFQ Online
12803798
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
ZONU
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IRF6636 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
-
Serie
HEXFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
18A (Ta), 81A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.45V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2420 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.2W (Ta), 42W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
DIRECTFET™ ST
Pakke / etui
DirectFET™ Isometric ST

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IRF6636-DG
Datablad
IRF6636

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
4,800
Andre navn
IRF6636TR
IRF6636CT

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
infineon-technologies

IPD60R600E6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

infineon-technologies

IPB180N10S402ATMA1

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

infineon-technologies

IRF3808PBF

MOSFET N-CH 75V 140A TO220AB

infineon-technologies

IPI70N10S312AKSA1

MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3