IRL2203NLPBF
Produsentens produktnummer:

IRL2203NLPBF

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRL2203NLPBF-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 30V 116A TO262
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 30 V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262

Lager:

RFQ Online
12806620
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IRL2203NLPBF Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
-
Serie
HEXFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
116A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
3290 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
3.8W (Ta), 180W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-262
Pakke / etui
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IRL2203NLPBF-DG
Datablad
IRL2203NLPBF
Dataark
IRL2203NS(NL)

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
50
Andre navn
*IRL2203NLPBF
SP001558636

Miljø- og eksportklassifisering

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
infineon-technologies

IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3

infineon-technologies

IRL60S216

MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRF6727MTR1PBF

MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET

infineon-technologies

IRF6717MTRPBF

MOSFET N-CH 25V 38A DIRECTFET