IRLR3715
Produsentens produktnummer:

IRLR3715

Product Overview

Produsent:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Delenummer:

IRLR3715-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 20 V 54A (Tc) 3.8W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)

Lager:

RFQ Online
12854720
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IRLR3715 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Infineon Technologies
Emballasje
-
Serie
HEXFET®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
54A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
14mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1060 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
3.8W (Ta), 71W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-252AA (DPAK)
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datablad og dokumenter

Dataark
IRLR3715, IRLU3715

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
75
Andre navn
*IRLR3715

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
RoHS non-compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
infineon-technologies

BUZ73H3046XKSA1

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

renesas-electronics-america

HAT2170H-EL-E

MOSFET N-CH 40V 45A LFPAK

onsemi

NDS9430A

MOSFET P-CH 20V 5.3A 8SOIC

renesas-electronics-america

RJK5013DPP-E0#T2

MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP