IXFP12N65X2M
Produsentens produktnummer:

IXFP12N65X2M

Product Overview

Produsent:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXFP12N65X2M-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 650V 12A TO220
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Lager:

295 Stk Nye Originaler På Lager
12911708
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
feIF
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IXFP12N65X2M Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Littelfuse
Emballasje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
650 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
310mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1134 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
40W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220 Isolated Tab
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Base produktnummer
IXFP12

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IXFP12N65X2M-DG
Datablad
IXFP12N65X2M
Dataark
IXFP12N65X2M Datasheet Building, Home Automation Appl Guide

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
50

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SI7852ADP-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SI7820DN-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8

vishay-siliconix

IRL620PBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB

vishay-siliconix

IRFPS38N60L

MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247