Produsentens produktnummer:
IXTH1N200P3
Product Overview
Produsent:
IXYS
DiGi Electronics Delenummer:
IXTH1N200P3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Lager:
12914206
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
KNeZ
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IXTH1N200P3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Littelfuse
Emballasje
-
Serie
Polar P3™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
2000 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
646 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247 (IXTH)
Pakke / etui
TO-247-3
Base produktnummer
IXTH1
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SI7489DP-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
SI7413DN-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK1212-8
IRFI520G
MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220-3
