IXTP2R4N120P
Produsentens produktnummer:

IXTP2R4N120P

Product Overview

Produsent:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTP2R4N120P-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 1200 V 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220-3

Lager:

14 Stk Nye Originaler På Lager
12820215
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IXTP2R4N120P Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Littelfuse
Emballasje
Tube
Serie
Polar
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
1200 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1207 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
125W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220-3
Pakke / etui
TO-220-3
Base produktnummer
IXTP2

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IXTP2R4N120P-DG
Datablad
IXTP2R4N120P
Dataark
IXT(A,H,P)2R4N120P Building, Home Automation Appl Guide

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
50

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
littelfuse

IXTH102N20T

MOSFET N-CH 200V 102A TO247

littelfuse

IXTN30N100L

MOSFET N-CH 1000V 30A SOT227B

littelfuse

IXFN36N60

MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B

littelfuse

IXTH120N15T

MOSFET N-CH 150V 120A TO247