IXTT30N60L2
Produsentens produktnummer:

IXTT30N60L2

Product Overview

Produsent:

IXYS

DiGi Electronics Delenummer:

IXTT30N60L2-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 540W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Lager:

RFQ Online
12910858
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IXTT30N60L2 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Littelfuse
Emballasje
Tube
Serie
Linear L2™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
335 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
10700 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
540W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-268AA
Pakke / etui
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Base produktnummer
IXTT30

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
IXTT30N60L2-DG
Datablad
IXTT30N60L2
Dataark
IXT(H,Q,T)30N60L2

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
30

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

IRL630PBF

MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9510S

MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR014TR

MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK

littelfuse

IXTT36N50P

MOSFET N-CH 500V 36A TO268