APT10M09B2VFRG
Produsentens produktnummer:

APT10M09B2VFRG

Product Overview

Produsent:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Delenummer:

APT10M09B2VFRG-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 625W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Lager:

RFQ Online
13261425
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

APT10M09B2VFRG Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Microsemi
Emballasje
-
Serie
POWER MOS V®
Produkt status
Obsolete
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
9mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 2.5mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
350 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
9875 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
625W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
T-MAX™ [B2]
Pakke / etui
TO-247-3 Variant

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
30
Andre navn
150-APT10M09B2VFRG
APT10M09B2VFRG-ND

Miljø- og eksportklassifisering

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
microchip-technology

APT10026L2LLG

MOSFET N-CH 1000V 38A 264 MAX

microchip-technology

APT50M65JLL

MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP

microchip-technology

APT50M75JLLU2

MOSFET N-CH 500V 51A SOT227

microchip-technology

APTM20UM03FAG

MOSFET N-CH 200V 580A SP6