Produsentens produktnummer:
JANTXV2N7334
Product Overview
Produsent:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Delenummer:
JANTXV2N7334-DG
Beskrivelse:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Detaljert beskrivelse:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Lager:
12923591
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
uP0s
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
JANTXV2N7334 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, FET, MOSFET-arrays
Produsent
Microsemi
Emballasje
-
Serie
-
Produkt status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurasjon
4 N-Channel
FET-funksjon
-
Tøm til kildespenning (Vdss)
100V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
1A
Rds på (maks) @ id, vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
60nC @ 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
-
Kraft - Maks
1.4W
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Trinn
Military
Kvalifikasjon
MIL-PRF-19500/597
Monteringstype
Through Hole
Pakke / etui
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakke med leverandørenheter
MO-036AB
Base produktnummer
2N733
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
1
Andre navn
JANTXV2N7334-DG
JANTXV2N7334-MIL
150-JANTXV2N7334
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
RoHS non-compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
ECH8654-TL-HQ
MOSFET 2P-CH 20V 5A ECH8
ECH8663R-TL-H
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
EFC6601R-A-TR
MOSFET 2N-CH EFCP2718
