Hjem
Produkter
Produsenter
Om DiGi
Kontakt oss
Blogger og innlegg
FOrespørsel om tilbud
Norway
Logg inn
Utvalgsspråk
Gjeldende språk etter eget valg:
Norway
Bytt:
Engelsk
Europa
Storbritannia
Frankrike
Spania
Kalkun
Moldova
Litauen
Norge
Tyskland
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russisk
Bulgaria
Danmark
Estland
Polen
Ukraina
Slovenia
Tsjekkisk
Gresk
Kroatia
Israel
Serbia
Hviterussland
Nederland
Sverige
Montenegro
Baskisk
Island
Bosnia
Ungarsk
Romania
Østerrike
Belgia
Irland
Asia / Stillehavet
Kina
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filippinsk
Malaysia
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabia
Qatar
Kuwait
Kambodsja
Myanmar
Afrika, India og Midtøsten
De forente arabiske emirater
Tadsjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Kongo
Sør-Afrika
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunisia
Sør-Amerika / Oseania
New Zealand
Angola
Brasil
Mosambik
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord-Amerika
USA
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
Om DiGi
Om oss
Om oss
Våre sertifiseringer
DiGi Introduksjon
Hvorfor DiGi
Politikk
Kvalitetspolitikk
Bruksvilkår
RoHS-overholdelse
Returprosess
Ressurser
Produktkategorier
Produsenter
Blogger og innlegg
Tjenester
Kvalitetsgaranti
Betalingsmåte
Global forsendelse
Fraktpriser
Ofte stilte spørsmål
Produsentens produktnummer:
HUF75652G3
Product Overview
Produsent:
onsemi
DiGi Electronics Delenummer:
HUF75652G3-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247-3
Lager:
450 Stk Nye Originaler På Lager
12850453
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
*
Selskap
*
Kontakt Navn
*
Telefon
*
E-post
Leveringsadresse
Melding
(
*
) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
HUF75652G3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
onsemi
Emballasje
Tube
Serie
UltraFET™
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
100 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
8mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
475 nC @ 20 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
7585 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
515W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247-3
Pakke / etui
TO-247-3
Base produktnummer
HUF75652
Datablad og dokumenter
HTML Datablad
HUF75652G3-DG
Datablad
HUF75652G3
Dataark
HUF75652G3
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
BSP125 E6327
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
FQPF10N50CF
MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
FDS4465_SN00187
MOSFET P-CHANNEL 20V 13.5A 8SO
AON6554
MOSFET N CH 30V 36A 8DFN