NTH4LN067N65S3H
Produsentens produktnummer:

NTH4LN067N65S3H

Product Overview

Produsent:

onsemi

DiGi Electronics Delenummer:

NTH4LN067N65S3H-DG

Beskrivelse:

POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-4

Lager:

361 Stk Nye Originaler På Lager
12989799
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

NTH4LN067N65S3H Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
onsemi
Emballasje
Tube
Serie
SuperFET® III
Produkt status
Not For New Designs
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
650 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
40A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
67mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 3.9mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
3750 pF @ 400 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
266W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247-4
Pakke / etui
TO-247-4

Datablad og dokumenter

HTML Datablad
NTH4LN067N65S3H-DG
Datablad
NTH4LN067N65S3H
Dataark
NTH4LN067N65S3H

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
30
Andre navn
488-NTH4LN067N65S3H

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

TPW5200FNH,L1Q

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

onsemi

NTMFS006N12MCT1G

POWER MOSFET, 120V SINGLE N CHAN

vishay-siliconix

SIHFPS40N50L-GE3

POWER MOSFET SUPER-247, 100 M @

toshiba-semiconductor-and-storage

TK19A50W,S5X

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-