PJD80N03_L2_00001
Produsentens produktnummer:

PJD80N03_L2_00001

Product Overview

Produsent:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJD80N03_L2_00001-DG

Beskrivelse:

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 80A (Tc) 2W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252

Lager:

RFQ Online
12970154
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

PJD80N03_L2_00001 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
PANJIT
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
15A (Ta), 80A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
1323 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2W (Ta), 55W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-252
Pakke / etui
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Base produktnummer
PJD80

Datablad og dokumenter

Dataark
PJU80N03 / PJD80N03

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
3757-PJD80N03_L2_00001TR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
panjit

PJD11N06A_L2_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nexperia

PMH850UPEH

MOSFET P-CH 30V 600MA DFN0606-3

panjit

PJL9425_R2_00001

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJC7002H_R1_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M