PJW4N06A_R2_00001
Produsentens produktnummer:

PJW4N06A_R2_00001

Product Overview

Produsent:

Panjit International Inc.

DiGi Electronics Delenummer:

PJW4N06A_R2_00001-DG

Beskrivelse:

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 60 V 4A (Ta) 3.1W (Ta) Surface Mount SOT-223

Lager:

5940 Stk Nye Originaler På Lager
12972302
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
UYZX
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

PJW4N06A_R2_00001 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
PANJIT
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
60 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
4A (Ta)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
100mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
2.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
5.1 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
509 pF @ 15 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
3.1W (Ta)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
SOT-223
Pakke / etui
TO-261-4, TO-261AA
Base produktnummer
PJW4N06A

Datablad og dokumenter

Dataark
PJW4N06A

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
2,500
Andre navn
3757-PJW4N06A_R2_00001CT
3757-PJW4N06A_R2_00001TR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
panjit

PJQ4402P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

onsemi

NTNS3A65PZT5GHW

MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883

panjit

PJD25N06A-AU_L2_000A1

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJD50P04-AU_L2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M