Produsentens produktnummer:
R6030JNZ4C13
Product Overview
Produsent:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
R6030JNZ4C13-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 30A TO247G
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247G
Lager:
522 Stk Nye Originaler På Lager
13525632
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
R6030JNZ4C13 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
ROHM Semiconductor
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
15V
Rds på (maks) @ id, vgs
143mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (maks) @ Id
7V @ 5.5mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
74 nC @ 15 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2500 pF @ 100 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
370W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247G
Pakke / etui
TO-247-3
Base produktnummer
R6030
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
RF4E070GNTR
MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
RSY160P05TL
MOSFET P-CH 45V 16A TCPT3
