Produsentens produktnummer:
SCT3105KLGC11
Product Overview
Produsent:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Delenummer:
SCT3105KLGC11-DG
Beskrivelse:
SICFET N-CH 1200V 24A TO247N
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 1200 V 24A (Tc) 134W Through Hole TO-247N
Lager:
151 Stk Nye Originaler På Lager
13527503
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
qmN6
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SCT3105KLGC11 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
ROHM Semiconductor
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
1200 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
24A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
18V
Rds på (maks) @ id, vgs
137mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs(th) (maks) @ Id
5.6V @ 3.81mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
51 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -4V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
574 pF @ 800 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
134W
Driftstemperatur
175°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-247N
Pakke / etui
TO-247-3
Base produktnummer
SCT3105
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
30
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
QS6U24TR
MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6
R6012ANX
MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
SCT2450KEC
SICFET N-CH 1200V 10A TO247
