SCT20N120
Produsentens produktnummer:

SCT20N120

Product Overview

Produsent:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Delenummer:

SCT20N120-DG

Beskrivelse:

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™

Lager:

580 Stk Nye Originaler På Lager
12878528
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
WA79
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SCT20N120 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
STMicroelectronics
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
1200 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
20A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
20V
Rds på (maks) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (maks) @ Id
3.5V @ 1mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
650 pF @ 400 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
175W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
HiP247™
Pakke / etui
TO-247-3
Base produktnummer
SCT20

Datablad og dokumenter

Dataark
SCT20N120 Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
30
Andre navn
497-15170

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
stmicroelectronics

STB5NK50ZT4

MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK

stmicroelectronics

STI17NF25

MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK

stmicroelectronics

STB50NE10T4

MOSFET N-CH 100V 50A D2PAK

stmicroelectronics

STD40NF03LT4

MOSFET N-CH 30V 40A DPAK