Produsentens produktnummer:
2SK3566(STA4,Q,M)
Product Overview
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Lager:
386 Stk Nye Originaler På Lager
12889363
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
L4XI
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
2SK3566(STA4,Q,M) Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballasje
Tube
Serie
π-MOSIV
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
900 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
6.4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 1mA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
470 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
40W (Tc)
Driftstemperatur
150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220SIS
Pakke / etui
TO-220-3 Full Pack
Base produktnummer
2SK3566
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
50
Andre navn
2SK3566STA4QM
2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566-NDR
2SK3566Q-DG
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
RoHS Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
TK60P03M1,RQ(S
MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
TK20A25D,S5Q(M
MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS
SSM3K376R,LF
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23F
