RN2103ACT(TPL3)
Produsentens produktnummer:

RN2103ACT(TPL3)

Product Overview

Produsent:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN2103ACT(TPL3)-DG

Beskrivelse:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
Detaljert beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 80 mA 100 mW Surface Mount CST3

Lager:

10000 Stk Nye Originaler På Lager
12891284
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
D2C5
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

RN2103ACT(TPL3) Tekniske spesifikasjoner

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forhånds-biasert Bipolartransistorer
Produsent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks)
80 mA
Spenning - kollektoremitter sammenbrudd (maks)
50 V
Motstand - Base (R1)
22 kOhms
Motstand - Emitterbase (R2)
22 kOhms
DC-strømforsterkning (hFE) (min) @ ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Vce-metning (maks) @ ib, ic
150mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektoravskjæring (maks)
500nA
Kraft - Maks
100 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SC-101, SOT-883
Pakke med leverandørenheter
CST3
Base produktnummer
RN2103

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
10,000
Andre navn
RN2103ACT(TPL3)TR
RN2103ACT(TPL3)CT
RN2103ACT(TPL3)DKR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
RoHS Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2111MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

RN2110ACT(TPL3)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1425TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1427TE85LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI