RN2413TE85LF
Produsentens produktnummer:

RN2413TE85LF

Product Overview

Produsent:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Delenummer:

RN2413TE85LF-DG

Beskrivelse:

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
Detaljert beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini

Lager:

3000 Stk Nye Originaler På Lager
12889498
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
Mcic
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

RN2413TE85LF Tekniske spesifikasjoner

Kategori
Bipolar (BJT), Enkelt, Forhånds-biasert Bipolartransistorer
Produsent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Strøm - Kollektor (Ic) (maks)
100 mA
Spenning - kollektoremitter sammenbrudd (maks)
50 V
Motstand - Base (R1)
47 kOhms
DC-strømforsterkning (hFE) (min) @ ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Vce-metning (maks) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektoravskjæring (maks)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
200 MHz
Kraft - Maks
200 mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakke med leverandørenheter
S-Mini
Base produktnummer
RN2413

Datablad og dokumenter

Dataark
RN2412,13

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
RN2413TE85LFDKR
RN2413TE85LFCT
RN2413(TE85L,F)
RN2413TE85LF-DG
RN2413TE85LFTR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
toshiba-semiconductor-and-storage

RN2427TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.8A SMINI

diodes

DDTD143EU-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1314(TE85L,F)

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

RN1102T5LFT

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM