Produsentens produktnummer:
RN4906FE,LF(CT
Product Overview
Produsent:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Delenummer:
RN4906FE,LF(CT-DG
Beskrivelse:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Detaljert beskrivelse:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Lager:
4000 Stk Nye Originaler På Lager
12889128
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
MmyV
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
RN4906FE,LF(CT Tekniske spesifikasjoner
Kategori
Bipolar (BJT), Bipolare transistorarrays, forhåndsbelastet
Produsent
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Produkt status
Active
Transistor Type
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strøm - Kollektor (Ic) (maks)
100mA
Spenning - kollektoremitter sammenbrudd (maks)
50V
Motstand - Base (R1)
4.7kOhms
Motstand - Emitterbase (R2)
47kOhms
DC-strømforsterkning (hFE) (min) @ ic, vce
80 @ 10mA, 5V
Vce-metning (maks) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Strøm - kollektoravskjæring (maks)
100nA (ICBO)
Frekvens - Overgang
200MHz
Kraft - Maks
100mW
Monteringstype
Surface Mount
Pakke / etui
SOT-563, SOT-666
Pakke med leverandørenheter
ES6
Base produktnummer
RN4906
Datablad og dokumenter
Dataark
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
4,000
Andre navn
RN4906FELF(CTCT
RN4906FELF(CBTR
RN4906FE(TE85LF)TR-DG
RN4906FE(TE85LF)CT
RN4906FELF(CBCT
RN4906FELF(CTDKR
RN4906FE,LF(CB
RN4906FELF(CBDKR-DG
RN4906FELF(CBCT-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR
RN4906FE(TE85LF)TR
RN4906FELF(CTTR
RN4906FELF(CBDKR
RN4906FE(TE85LF)CT-DG
RN4906FELF(CBTR-DG
RN4906FE(TE85LF)DKR-DG
RN4906FE(TE85L,F)
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
RN4987FE,LF(CT
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2962FE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
RN2711(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W USV
