Produsentens produktnummer:
IRF9610PBF-BE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRF9610PBF-BE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 200 V 1.8A (Tc) 20W (Tc) Through Hole TO-220AB
Lager:
842 Stk Nye Originaler På Lager
12954532
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IRF9610PBF-BE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
200 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
1.8A (Tc)
Rds på (maks) @ id, vgs
3Ohm @ 900mA, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
20W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Base produktnummer
IRF9610
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
50
Andre navn
742-IRF9610PBF-BE3
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
TK10A50W,S5X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
FDS6676AS
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
BSC005N03LS5IATMA1
TRENCH <= 40V
