IRFBC30APBF-BE3
Produsentens produktnummer:

IRFBC30APBF-BE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRFBC30APBF-BE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-220AB

Lager:

RFQ Online
12939305
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

IRFBC30APBF-BE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
600 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
510 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
74W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Through Hole
Pakke med leverandørenheter
TO-220AB
Pakke / etui
TO-220-3
Base produktnummer
IRFBC30

Datablad og dokumenter

Dataark
IRFBC30APBF-BE3

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
1,000
Andre navn
742-IRFBC30APBF-BE3

Miljø- og eksportklassifisering

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative modeller

DELE NUMMER
IRFBC30APBF
PRODUKTSELSKAP
Vishay Siliconix
ANTALL TILGJENGELIG
1483
DELER NUMMER
IRFBC30APBF-DG
ENHETSPRIS
1.19
ERSTATNING TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Sertifisering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SUD25N15-52-BE3

MOSFET N-CH 150V 25A DPAK

microchip-technology

APT40M70LVRG

MOSFET N-CH 400V 57A TO264

onsemi

NVTFS4C13NWFTAG

MOSFET N-CH 30V 14A 8WDFN

microchip-technology

APT1201R2BLLG

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247