Produsentens produktnummer:
IRFZ48RSPBF
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
IRFZ48RSPBF-DG
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 60V 50A TO263
Detaljert beskrivelse:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Lager:
7785 Stk Nye Originaler På Lager
12915532
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
AsMO
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
IRFZ48RSPBF Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tube
Serie
-
Produkt status
Active
FET-type
N-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
60 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
10V
Rds på (maks) @ id, vgs
18mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
4V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
2400 pF @ 25 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
190W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
TO-263 (D2PAK)
Pakke / etui
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Base produktnummer
IRFZ48
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
1,000
Andre navn
*IRFZ48RSPBF
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
SI7370DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
IXTU50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO251
