IRLD110PBF

Produsentens produktnummer:

IRLD110PBF

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

IRLD110PBF-DG

Beskrivelse:

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

Detaljert beskrivelse:

N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Lager:

4444 Stk Nye Originaler På Lager

12905598

Forespørsel om pristilbud

Antall
Minimum 1

(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer

SEND

IRLD110PBF Tekniske spesifikasjoner

Kategori

FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er

Produsent

Vishay

Emballasje

Tube

Serie

-

Produkt status

Active

FET-type

N-Channel

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Tøm til kildespenning (Vdss)

100 V

Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C

1A (Ta)

Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)

4V, 5V

Rds på (maks) @ id, vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs(th) (maks) @ Id

2V @ 250µA

Portlading (Qg) (maks) @ Vgs

6.1 nC @ 5 V

Vgs (maks)

±10V

Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds

250 pF @ 25 V

FET-funksjon

-

Strømtap (maks)

1.3W (Ta)

Driftstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Monteringstype

Through Hole

Pakke med leverandørenheter

4-HVMDIP

Pakke / etui

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Base produktnummer

IRLD110

Datablad og dokumenter

HTML Datablad

Datablad

Dataark

Tilleggsinformasjon

Standard pakke

100

Andre navn

*IRLD110PBF

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifisering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Relaterte produkter

littelfuse

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220

diodes

ZVN3310FTA

MOSFET N-CH 100V 100MA SOT23-3