SI2307CDS-T1-GE3
Produsentens produktnummer:

SI2307CDS-T1-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI2307CDS-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 30 V 3.5A (Tc) 1.1W (Ta), 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Lager:

106320 Stk Nye Originaler På Lager
12915086
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SI2307CDS-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
30 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
3.5A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
4.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
88mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
3V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
340 pF @ 15 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base produktnummer
SI2307

Datablad og dokumenter

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SI2307CDS-T1-GE3TR
SI2307CDS-T1-GE3CT
SI2307CDS-T1-GE3DKR
SI2307CDST1GE3

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
vishay-siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8

vishay-siliconix

IRFR9220

MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK

vishay-siliconix

SI4470EY-T1-E3

MOSFET N-CH 60V 9A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9014TRPBF

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK