Produsentens produktnummer:
SI2399DS-T1-GE3
Product Overview
Produsent:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Delenummer:
SI2399DS-T1-GE3-DG
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Lager:
7732 Stk Nye Originaler På Lager
12917749
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
Minimum 1
IW2i
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND
SI2399DS-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner
Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
34mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
835 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base produktnummer
SI2399
Datablad og dokumenter
Tilleggsinformasjon
Standard pakke
3,000
Andre navn
SI2399DS-T1-GE3CT
SI2399DS-T1-GE3TR
SI2399DS-T1-GE3-DG
SI2399DS-T1-GE3DKR
Miljø- og eksportklassifisering
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
NVMYS3D3N06CLTWG
MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
SIR864DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIS447DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
