SI2399DS-T1-GE3
Produsentens produktnummer:

SI2399DS-T1-GE3

Product Overview

Produsent:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Delenummer:

SI2399DS-T1-GE3-DG

Beskrivelse:

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Detaljert beskrivelse:
P-Channel 20 V 6A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Lager:

7732 Stk Nye Originaler På Lager
12917749
Forespørsel om pristilbud
Antall
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
H8sK
(*) er obligatorisk
Vi tar kontakt med deg innen 24 timer
SEND

SI2399DS-T1-GE3 Tekniske spesifikasjoner

Kategori
FET-er, MOSFET-er, Enkelt FET-er, MOSFET-er
Produsent
Vishay
Emballasje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Produkt status
Active
FET-type
P-Channel
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Tøm til kildespenning (Vdss)
20 V
Strøm - kontinuerlig tømming (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds på, Min Rds på)
2.5V, 10V
Rds på (maks) @ id, vgs
34mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (maks) @ Id
1.5V @ 250µA
Portlading (Qg) (maks) @ Vgs
20 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) @ Vds
835 pF @ 10 V
FET-funksjon
-
Strømtap (maks)
2.5W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke med leverandørenheter
SOT-23-3 (TO-236)
Pakke / etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base produktnummer
SI2399

Datablad og dokumenter

Tilleggsinformasjon

Standard pakke
3,000
Andre navn
SI2399DS-T1-GE3CT
SI2399DS-T1-GE3TR
SI2399DS-T1-GE3-DG
SI2399DS-T1-GE3DKR

Miljø- og eksportklassifisering

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Fuktighetsfølsomhetsnivå (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifisering
Relaterte produkter
onsemi

NVMYS3D3N06CLTWG

MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK

vishay-siliconix

SIR864DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

vishay-siliconix

SIS447DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8

vishay-siliconix

SI2333DS-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3